Possibilités offertes par l'épitaxie par jets moléculaires dans la croissance d'hétérostructures GaAs/GaAIAs pour transistors bipolaires
auteur :Jean-Christophe Harmand
- Première parution
- 1988
- Éditeur
- ANRTGrenoble 2
- Pages
- —
- Éditions
- 1
- Langue
- Français
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