Phénomènes de relaxation des porteurs libres dans le silicum de types p et n
contribution des transitions interbandes à la conductivité du p-Si dans le domaine des ondes millimétriques et de l'infrarouge lointain
auteur :Jean Vindevoghel
- Première parution
- 1980
- Éditeur
- Inconnu
- Pages
- 170
- Éditions
- 1
- Langue
- Français
Trouver ce livre d’occasion
Recherche préremplie — titre et auteur, toutes éditions confondues — chez 8 marchands d’occasion et sites de petites annonces.
Édition
| Année | Éditeur | ISBN | Pages | Ville | Occasion | Notice | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1980 | — | — | 170 | — | — | BNF → |