Etude par diffusion Raman de l'interaction phonon-porteurs libres dans les semiconducteurs dopés

application au GaAs implanté, Be ou épitaxié, Si

Première parution: 1986
Éditeur: ANRT
Grenoble 2
Pages: —
Éditions: 1
Langue: Français

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Édition

	Année	Éditeur	ISBN	Pages	Ville	Occasion	Notice
	1986	ANRT	—	—	Grenoble 2	Vinted

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