Etude d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné et de leur stabilité par des mesures de courants thermostimulés dans des transistors couches minces
auteur :Didier Gufflet
- Première parution
- 1988
- Éditeur
- ANRTGrenoble 2
- Pages
- —
- Éditions
- 1
- Langue
- Français
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