Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrogène (a-Si H) par des mesures d'admittances de diodes Schottky
auteur :Jean-Paul Kleider
- Première parution
- 1987
- Éditeur
- ANRTGrenoble 2
- Pages
- —
- Éditions
- 1
- Langue
- Français
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