Contribution à l'étude "in situ" du glissement et de la montée des dislocations dans un composé semiconducteur III-V, InSb
auteur :Mustapha Fnaiech
- Première parution
- 1987
- Éditeur
- ANRTGrenoble 2
- Pages
- —
- Éditions
- 1
- Langue
- Français
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