Contribution à l'étude de la diffusion des dopants dans le silicium
prise en compte des défauts hors équilibre
auteur :Daniel Mathiot
- Première parution
- 1983
- Éditeur
- Inconnu
- Pages
- —
- Éditions
- 1
- Langue
- Français
Trouver ce livre d’occasion
Recherche préremplie — titre et auteur, toutes éditions confondues — chez 8 marchands d’occasion et sites de petites annonces.
Introuvable en stock ? Recevez une alerte
Beaucoup d’éditions sont épuisées — soyez prévenu par email quand une offre d’occasion réapparaît, au prix qui vous convient.
Votre adresse sert uniquement à vous prévenir pour ce livre : une confirmation vous sera demandée par email, et chaque message contient un lien de désinscription en un clic. Aucune revente, aucune lettre d’information.
Édition
| Année | Éditeur | ISBN | Pages | Ville | Occasion | Notice | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1983 | — | — | — | — | — | BNF → |